大学化学 >> 2006, Vol. 21 >> Issue (5): 27-30.doi: 10.3969/j.issn.1000-8438.2006.05.006

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一维氮化镓纳米材料的制备

郝瑞, 袁金颖   

  1. 清华大学化学系, 北京100084
  • 发布日期:2006-09-15

一维氮化镓纳米材料的制备

郝瑞, 袁金颖   

  • Published:2006-09-15

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摘要： 氮化镓是Ⅲ-Ⅴ族半导体中最重要的材料之一,有着极其优良的发光性质和半导体性质。在一维氮化镓纳米材料的制备方面,已经发展出了许多方法,如气相-模板合成法、气-液-固(VLS)合成法、氧化辅助合成等。本文主要介绍其中几个有代表性的方法,并对该领域进行了展望。