| 1 | 非本征填隙
原子缺陷类 | PdHx
(0 ≤ x ≤ 0.7)
γ-FeCx
(0 ≤ x ≤ 0.1) | H2 = 2Hi×
C = Ci× | Hi×
Ci× | Pd为密堆积结构，H进入Pd的八面体空隙中；吸氢材料
C进入Fe构筑的填隙位置；1100 ℃下，x ≈ 0.1
| [6] |
| 2 | 原子取代
缺陷类 | Fe1?xZnx
(0 ≤ x ≤ 0.42)
Hf1?xScx
(0 ≤ x ≤ 1.0) | Zn = ZnFe×
富Hf固溶体：Sc = ScHf×
富Sc固溶体：Hf = HfSc× | ZnFe×
ScHf×
HfSc× | Zn (r = 0.133 nm)和Fe (r = 0.124 nm)原子半径接近。Zn占据Fe的格位，782 ℃下溶解度达x = 0.42
Sc (r = 0.165 nm)和Hf (r = 0.160 nm)原子半径接近；两者可以互相取代 | [11] |
| 3 | 本征填隙阳离子缺陷 | Li2+4xTi1?xO3
(0 ≤ x ≤ 0.08) | 2Li2O = LiTi[O]"' +
3Lii[T]? + 2OO× | Li"'Ti[O]，Lii[T]? | Li+ (r = 0.076 nm)和Ti4+ (r = 0.0605 nm)价态差别较大，但半径接近，这里，4个Li+可以取代1个Ti4+，1个占据八面体空隙[O]，其余3个占据四面体空隙[T] | [6, 12] |
| 4 | 本征填隙阴离子缺陷类 | La2CuO4+x
(0 ≤ x ≤ 0.09) | CuCu× +1/2O2 = 2CuCu? + Oi" | Oi"，CuCu? | Cu3+ (CuCu?)含量2x。形成Oi"需要铜的变价缺陷CuCu?进行电荷补偿。含有Oi"的材料是超导体，超导转变温度35 K | [13] |
| 5 | 本征阳离子
空位缺陷类 | Mn1?xO
(0 ≤ x ≤ 0.18)
Fe1?xO
(0.045 ≤ x ≤ 0.20) | 2MM× + 1/2O2 = 2Mi[T]??? +
3VM[O]" + OO×
(M = Mn, Fe) | Mi[T]???，VM[O]"
(M = Mn, Fe) | O2将M2+氧化为M3+，O2?进入晶格形成八面体格位的阳离子空位VM[O]"，M3+进入四面体格位形成填隙Mi[T]??? (含量为2x)。Mn1?xO中固溶体组成可以从x = 0开始；而Fe1-xO中x ≠ 0 | [9] |
| 6 | 本征阴离子
空位缺陷类 | Y2Ti2O7?x
(0 ≤ x → 1.0) | OO× + TiTi× = VO? + TiTi' +1/2O2 | VO?，TiTi' | 低氧分压或还原性气氛下，O2?会溢出，在晶格中形成VO×。VO×部分电离成VO?，将Ti4+还原成Ti3+ (TiTi')。合适的还原条件可使x值接近1。存在氧空位的物相颜色变深，电导率增加 | [14] |
| 7 | 非本征填隙
阳离子缺陷类 | NaxWO3
(0 ≤ x ≤ 1.0)
LixTiS2
(0 ≤ x ≤ 1.0) | Na + Ww× = Nai? + Ww'
Li + TiTi× = Lii? + TiTi' | Nai?，Ww'
Lii?，TiTi' | WO3被Na适度地还原后，颜色由浅黄变蓝色，电导率提高。W5+ (Ww')含量为x
TiS2是层状结构，控制反应速度可以使Li+进入层间，这一过程是锂离子电池负极放电过程。Ti3+ (TiTi')含量为x | [6] |
| 8 | 阳离子取代
缺陷类 | 等价取代：
(Ca1?xSrx)5(PO4)3Cl
(0 ≤ x ≤ 1.0)
| 富Ca固溶体：
SrO = SrCa× + OO×
富Sr固溶体：
CaO = CaSr× + OO×
| SrCa×
CaSr×
| M5(PO4)3Cl [M = Ca2+ (r = 0.10 nm)，Sr2+ (r = 0.118 nm)，Ba2+ (r = 1.35 nm)]具有磷灰石结构。Ca相和Sr相及Sr相和Ba相形成全范围固溶体，Ca相和Ba相只形成部分固溶体。在该体系中掺入Eu2+可以获得蓝色或蓝绿色荧光，分别用于三基色或高显色荧光灯中 | [15]
|
高价取代：
Ba6-3xNd8+2xTi18O54 (0.25 ≤ x ≤ 0.75) | Nd2O3 = 2NdBa? + VBa" + 3OO× | NdBa?，VBa"
| 阳离子空位补偿：2个Nd3+取代3个Ba2+，生成1个VBa"补偿价态不平衡。固溶体范围不能伸展到x = 0。重要的电介质材料 | [16] |
Ca1?xYxF2+x
(0 ≤ x ≤ 0.38) | YF3 = YCa? + Fi' | YCa?，Fi' | 填隙阴离子补偿：Y3+取代Ca2+，增加Fi'补偿价态不平衡 | [6] |
| Sr1?xNdxCuO2 (0 ≤ x ≮ 0.16) | 2Nd2O3 + 4CuO = 4NdSr? + 4CuCu' + 8OO× + O2 | NdSr?，CuCu' | 阳离子变价(降价)补偿：Nd3+取代Sr2+，Cu2+降价为Cu+ (CuCu'，含量约为x)补偿价态不平衡。还原气氛处理。含有CuCu'的物相是超导材料，转变温度约为40 K | [17] |
低价取代：
Zr1?xYxO2?x/2
(0 ≤ x ≤ 0.70) | Y2O3 = 2YZr' + VO?? + 3OO× | YZr'，VO?? | 阴离子空位补偿：Y3+占据Zr4+格位，产生1个VO??补偿价态不平衡。掺Y量x ≈ 0.05时，正交晶系，增韧陶瓷；掺杂量x > 0.15，氧离子导体 | [18] |
Li1+xAl1+xSi2?xO8
(0 ≤ x ≤ 0.14) | LiAlO2 = Lii? + AlSi' + 2OO× | AlSi'，Lii? | 本征填隙阳离子补偿：Al3+取代Si4+，占据其格位，引入Lii?补偿价态不平衡 | [6] |
La2?xCaxCuO4
(0 ≤ x ≮ 0.30) | CaO + CuO + 1/4O2 ? CaLa′ + CuCu? + 2.5OO× | CaLa′，CuCu? | 阳离子变价(升价)补偿：Ca2+取代La3+，在氧化气氛中处理，Cu2+升价为Cu3+ (CuCu?，含量为x)。超导转变温度~20 K | [17] |
| 9 | 阴离子取代
缺陷类 | 等价取代：
BaFCl1?xBrx
(0.0 ≤ x ≤ 1.0)
不等价取代：
Y4Al2?2xSi2xO9?2xN2x (0.0 ≤ x ≤ 0.4) | 富Cl固溶体：
BaBr2 = BaBa× + 2BrCl×
富Br固溶体：
BaCl2 = BaBa× + 2ClBr×
Si2ON2 = 2NO' + 2SiAl? + OO× | BrCl×
ClBr×
NO'，OO× | BaFX [X = Cl (r = 0.181 nm), Br (r = 0.196 nm), Ba (r = 0.220 nm)]具有氟氯铅矿结构。Cl相和Br相及Br相和I相形成全范围固溶体，Cl相和I相形成很窄的部分固溶体。在该体系中掺入Eu2+发射近紫外到紫色荧光，用于X射线增感屏或存储屏中
在N3?取代O2?时，Si4+同时取代Al3+进行电荷补偿 | [19]
[20] |